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意法半导体推出世界上最小的采用180纳米互补MOS技术的嵌入式闪存

发布时间:2020-06-30 18:39:12 阅读: 来源:隧道防火涂料厂家

世界知名的半导体制造商意法半导体(纽约股票交易所:STM)今日宣布即将开始供应世界上首次批量生产的采用先进的180nm互补MOS技术的嵌入式闪存。ST的180nm嵌入闪存技术创造了世界上最小的单元尺寸,每个闪存单元仅占硅片面积0.37um2。极小的单元尺寸大幅度降低了在芯片上制造存储阵列所需的硅面积,从而降低了芯片的制造成本。 这项新技术特别适合汽车应用。在汽车应用中,嵌入式闪存广泛用于主要功能的片上系统解决方案(SoC),如发动机管理单元和导航及信息系统。这项技术支持主流核心控制器如汽车应用中被广泛采用的ARM7、ARM9 和 ST10,以及多处理器体系结构。内置这些核心的演示芯片正在接受用户在全温度范围的验证。 ST公司副总裁兼非易失性存储器工艺开发主任Paolo Cappelletti说:“世界上第一个大批量生产的180nm嵌入式闪存技术和业内最小的单元尺寸的双重成就,使ST稳稳地处于嵌入闪存技术的最前沿,而且对于我们的片上系统产品组合具有重要的意义。” 这个180nm嵌入式闪存技术完全兼容基本的180nm逻辑工艺(单元库和核心),宏单元十分灵活,可以快速定义高达10兆位的用户指定的存储阵列,扇区可以划分到最小8千字节。此外,宏单元还具有内部自测试(BIST)特性。

意法半导体是第一个推出嵌入闪存的微控制器的半导体制造商,是今天含有嵌入式闪存的片上系统器件的世界知名制造商之一。这些器件广泛用于汽车、通信、消费和计算机外设等应用。

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